（来源：老司机驾新车）
半导体设备：逻辑与存储扩产迎来产业大周期
Q: 根据SEMI报告，全球半导体设备市场2026年至2028年的销售额预测及核心增长驱动力是什么？
A: SEMI报告显示，2026年全球半导体设备销售额预计达1659亿美元，同比增长23.2%；2028年预计达2295亿美元。增长核心驱动力为AI技术重塑制造格局，叠加全球主要晶圆厂持续扩产，资本开支增长趋势预计延续至2028年，实现五年以上连续增长。
Q: 半导体设备各细分领域的增速与市场规模预测如何？
A: DRAM设备2026年销售额预计388亿美元，2027年+27.4%，2028年+15%；NAND设备2026年139亿美元，2027年+31.1%，2028年达208亿美元；逻辑及晶圆厂设备2026年+18.9%，2028年达1047亿美元；测试设备增速最快，2026年预计+31%；先进封装设备+20.8%。先进制程、DRAM与先进封装三大领域设备合计占整体设备市场近80%。
Q: 当前全球半导体设备支出的主要区域分布及扩产主体有哪些？
A: 设备支出前三区域为中国大陆、中国台湾和韩国。中国大陆以28纳米及其他晶圆厂扩产为主；中国台湾以台积电扩产为核心；韩国以三星、海力士等存储厂商扩产为主导。
Q: 全球主要半导体设备厂商2026年第二季度业绩与订单情况如何？
A: ASML单季收入93.26亿欧元，毛利率54%，订单积压350–380亿欧元；应用材料收入79.9亿美元，毛利率50%，订单可见度延至未来八个季度；泛林收入同比+30%，毛利率51.7%，订单出货比高于1.0；东京电子收入近50亿美元，毛利率46.8%；科磊毛利率61.8%；北方华创预估收入近12亿美元，毛利率42%–44%；爱德万测试设备收入11亿美元，毛利率近50%，订单出货比大于1.2。
Q: 半导体技术演进如何具体拉动设备需求？
A: 先进制程方面，FinFET向GAA结构演进及背面供电技术引入，显著提升ALD、离子刻蚀、EUV光刻、晶圆减薄、微孔刻蚀、金属沉积及前道检测设备需求；DRAM领域，节点微缩与HBM3/HBM3E量产推动刻蚀、wafer-to-wafer/die-to-wafer键合、TSV通孔及薄膜沉积设备需求；先进封装方面，CoWoS技术由S型向L型演进并拓展至面板级封装，混合键合间距缩至1微米以下，带动TSV刻蚀、薄膜沉积等高精度设备需求增长。
Q: AI发展如何通过存储墙问题与算力需求倒逼半导体设备增长？
A: AI大模型推理端上下文长度扩展与高并发导致内存需求指数级增长，凸显存储墙问题。为突破瓶颈，HBM需求激增，并推动DRAM架构向逻辑看齐，增加高深宽比刻蚀与原子级沉积设备需求；同时算力升级驱动制程向2纳米演进，结合2.5D/3D先进封装降低数据搬运功耗，全面拉动前道制造与后道封装测试设备需求。
Q: 中国市场近期有哪些半导体扩产动态及对国产设备的机会？
A: 海力士大连二厂启动5万片月产能扩产计划，聚焦100层级高密度NAND，旨在构建全球AI供应链；中国大陆整体推进28纳米及其他晶圆厂扩产，为北方华创等国产设备厂商带来明确订单机会，当前国产设备需求旺盛，订单可见度良好。
