中国公众，日益有一种共同的感觉，那就是一整代青年科学家与工程师，正以前所未有的昂扬姿态走上世界前沿。
为了记录这场正在进行时的后浪奔腾，观察者网联合多家顶尖科研机构与产业投资平台，对标麻省理工科技评论TR35等国际选拔体系的最佳实践，于日前发布了全面升级的“2025-2026年度科创人物”榜单。
上榜的“年度科创之星”、“年度求索者”、“年度领航者”入选者，研究领域纵贯人工智能、航天工程、纯粹数学、半导体架构、量子与光电芯片、生命科学、先进材料与能源技术等战略前沿，用硬核成果全面展现着中国青年“敢研究未解之难题、敢跨无人之险滩”的创新气魄。
作为本次评选的主体奖项，“年度求索者”共有十八位青年学者入选，赵蓓正是其中之一。
在二维半导体芯片的微观攻坚历程中，p型器件的性能短板长期如同一道难以逾越的技术壁垒，严重阻碍了超低功耗范德华互补逻辑电路的整体工程化落地。面对这一制约下一代芯片演进的底层难题，东南大学电子科学与工程学院教授赵蓓勇闯栅介质与材料界面的物理极限。
通过构筑创新的范德华异质结结构，赵蓓成功获得了超高空穴浓度与超低接触电阻，一举攻克了高性能p型二维晶体管的核心性能瓶颈。这项研究成果成功补齐了二维集成电路走向规模化实际应用过程中最关键、最难补全的一块拼图，为未来低功耗、高密度芯片的制造提供了切实可行的物理与工程路径。
作为青年女性科学家的杰出代表，赵蓓凭借严谨扎实的学术造诣与敢打硬仗的科研定力，在微电子底层核心器件研究中开辟出全新局面，生动展现了青年科研力量在突破底层硬核技术上的非凡智慧。
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