【导(dǎo)语(yǔ)】自(zì)今(jīn)年(nián)第(dì)三(sān)季(jì)度(dù)起(qǐ)存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业(yè)迈(mài)入(rù)“超(chāo)级(jí)周(zhōu)期(qī)”，供(gōng)需(xū)失(shī)衡(héng)的(de)结(jié)构(gòu)性(xìng)矛(máo)盾(dùn)成(chéng)核(hé)心(xīn)驱(qū)动(dòng)力(lì)。海(hǎi)外(wài)大(dà)厂(chǎng)产(chǎn)能(néng)向(xiàng)高(gāo)端(duān)转(zhuǎn)移(yí)致(zhì)中(zhōng)端(duān)供(gōng)给(gěi)缺(quē)口(kǒu)，本(běn)土(tǔ)厂(chǎng)商(shāng)迎(yíng)来(lái)关键机遇。如今本土企业完善中低端布局、高端有进展，在DRAM、NAND等领域成果显著，有望借此提升市场竞争话语权。
自今年第三季度起，存储芯片行业开始进入史无前例的“超级周期”。TrendForce集邦咨询的数据显示，2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%，达414亿美元；前五大NAND品牌商合计营收季增16.5%，逼近171亿美元；前五大企业级SSD品牌厂合计营收季增28%，达65.4亿美元，创今年新高。存储芯片领军企业SK海力士指出，当前DRAM的需求激增，供应商库存已经达到最低水平，缺货情况可能要持续到2028年。
全新的周期下，海外大厂产能向高端转移造成中端供给缺口，本土存储芯片厂商迎来了关键机遇窗口期。如何精准锚定市场缺口、攻克核心技术、优化产能布局，成为本土厂商把握机会的关键。
“超级周期”导致巨大市场缺口
与以往周期不同，此轮“超级周期”的核心驱动力是供需失衡的结构性矛盾。存储芯片已从消费电子的“成本部件”升级为AI基础设施的“战略物资”。随着AI从训练阶段迈向规模化推理应用，“以存代算”技术成为企业降本增效的核心路径，直接拉高了高端存储芯片的需求。
今年10月，OpenAI发布了“星际之门”计划，与三星、SK海力士正式签署了存储芯片供应协议，锁定每月高达90万片DRAM晶圆供应，相当于全球(qiú)DRAM产(chǎn)量(liàng)的40%。业内专家表示，一台AI服务器对DRAM和NAND的需求量分别约为普通服务器的8倍和3倍；同等规格的LPDDR5 DRAM，用于AI服务器的价格可达消费电子类产品的1.5倍。
TrendForce集邦咨询预计，AI与服务器相关应用到2026年将占DRAM总产能的66%，DRAM的整体营收将飙升56%。
受利润驱动，三星、美光、SK海力士三大海外巨头纷纷将产能向HBM（高带宽内存）、DDR5 DRAM等高端存储产品倾斜，甚至完全停产DDR4 DRAM、DDR3 DRAM等前代产品，导致供应短缺。美光为聚焦AI数据中心等高增长、高利润领域，更是在近日宣布退出旗下Crucial（英睿达）品牌的消费级业务，后续不再向一般消费者销售该品牌相关产品。
与此同时，各大厂商相继调高存储器产品价格。11月3日，三星率先暂停10月DDR5 DRAM合约报价，引发SK海力士、美光等存储原厂跟进，恢复报价时间延后至11月中旬。受此影响，短短一周内DDR5现货价格飙升25%。中信证券研报预测，三大存储原厂此次暂停报价将导致DDR5 DRAM价格季度涨幅达到30%~50%。DDR4 DRAM产品虽已逐步退出主流产能，但供应短缺导致价格“逆势上涨”，16GB DDR4内存条价格较去年同期涨幅超过200%。
巨大的中低端存储芯片市场需求和价格空间为本土存储芯片企业提供了多元化的市场切入点。消费电子领域，智能手机和笔记本电脑的出货量预计2026年小幅下滑，但存储容量升级趋势未改，中端机型6GB/8GB内存、256GB闪存成为主流配置，本土厂商的高性价比产品有望填补海外厂商留下的市场空白；AI与云计算领域，国内云计算厂商年存储采购规模超千亿元，阿里云、腾讯云等为保障供应链安全，持续加大国内存储芯片采购比例；汽车电子领域，L3及以上级别自动驾驶对存储容量的需求是传统车型的10倍以上，智能座舱单系统存储容量已突破256GB，预计2028年全球车用存储市场规模将达102.5亿美元。我国作为新能源汽车大国，已有很多国内车企开始采用本土的存储芯片产品。
本土厂商有望提升话语权
当前，本土存储芯片厂商不断完善中低端产品布局，并已实现量产，高端产品也取得新进展，且具备价格优势，正在逐步填补海外厂商留下的市场空白。
在DRAM领域，长鑫存储自2019年实现了第一代19nm工艺的DDR4 DRAM内存量产以来，产品良率稳步提升，已完成从DDR4到DDR5、从LPDDR4X到LPDDR5X的产能与技术双重迭代。其在第二十二届中国国际半导体博览会（IC China 2025）正式发布的最新DDR5系列产品，最高(gāo)速(sù)率(lǜ)达(dá)8000Mbps，最(zuì)高(gāo)颗(kē)粒(lì)容(róng)量(liàng)24Gb；而(ér)在(zài)今(jīn)年(nián)10月(yuè)推(tuī)出(chū)的(de)LPDDR5X最(zuì)高(gāo)速(sù)率(lǜ)达(dá)到(dào)10667Mbps，产(chǎn)品(pǐn)覆(fù)盖(gài)12GB至(zhì)32GB，并(bìng)通(tōng)过(guò)封(fēng)装(zhuāng)创(chuàng)新(xīn)，满(mǎn)足(zú)手(shǒu)机(jī)小(xiǎo)型(xíng)化(huà)、轻(qīng)薄(báo)化(huà)等(děng)需(xū)求(qiú)。
长(zhǎng)鑫(xīn)科(kē)技(jì)集团(tuán)股(gǔ)份(fèn)有(yǒu)限(xiàn)公(gōng)司(sī)市(shì)场(chǎng)中(zhōng)心(xīn)负(fù)责(zé)人(rén)骆(luò)晓(xiǎo)东(dōng)表(biǎo)示(shì)：“当(dāng)下(xià)DRAM市(shì)场(chǎng)供不应求的状况给下游客户和行业带来了极大的挑战。中国需要有非常稳定的本土DRAM产能供应，通过产能提升和规模效应来减少对国际大厂的产能依赖。”
在(zài)NAND领(lǐng)域，长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)自(zì)主研发的Xtacking架构实现了3D NAND技术的跨越式发展，完成了从32层三维闪存芯片的突破，到64层追赶、128层并跑，再到232层领跑的技术升级，当前294层3D NAND产品良率已突破90%，连续读写速度超7000MB/s。其首条全本土化NAND产线于2025年下半年试产，设备本土化率达45%。
在主控方面，江波龙从2023年开始推出自研的主控产品，当前，公司基于自研WM7400主控推出的UFS4.1产品能够在一个系统中兼容TLC（三层单元）和QLC（四层单元），让容量选择更加丰富的同时，性能领先业界平均水平。
深圳市江波龙电子股份有限公司副总裁、嵌入式存储事业部总经理黄(huáng)强(qiáng)表(biǎo)示(shì)：“我(wǒ)们拥有自有封测制造基地，主控芯片和软件完全是自主设计的，更加贴近本土客户的需求；同时，江波龙始终践行的PTM（存储产品技术制造）模式，令我们能够为本土客户设计、生产定制化产品的同时，更加灵活、快速地响应客户需求。”
在此次存储芯片的“超级周期”中，本土厂商已不再是被动跟随者，而是具备技术突破能力、产能供给能力和产业链协同能力的核心参与者。把握这一机遇，本土厂商有望在中端市场快速实现替代，在高端市场逐步突破，提升市场竞争话语权。
