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【今日要闻】**半导体技术前沿:封装革新与AI芯片辅助存储新进展**
发布时间:2025-08-08 20:00:55  发布者:本站编辑

先进封装,四要素!

Via-last TSV:TSV制🈴作可以集成到生产工艺的不同阶段,通常放在晶圆制造阶段为Via-first,封装阶段为Via-last(该方案可以不改变现有集成电路流程和设计,目前业界已开始在高端的Flash和DRAM领域采用Via-last技术,即在芯片周末进行硅通孔的TSV制作,然后进行芯片或晶圆层叠。Via-middle(中通孔)封装工艺:首先在晶圆制造过程中形成通孔,随后在封装过程中,于晶圆正面形成焊接凸点。之后将晶圆贴附在晶圆载片上并进行背面研磨,在晶圆背面形成凸点。

**半导体技术前沿:封装革新与AI芯片辅助存储新进展**

半导体十大研究进展候选推荐(2025-045)——具有3μs行时间和100MHz调制频率的2D/3D图像传感器芯片

半导体十大研究进展候选推荐(2025-045)——具有3μs行时间和100MHz调制频率的2D/3D图像传感器芯片1 工作简介 ——具有3μs行时间和100MHz调制频率的1920×1080分辨率2D/3D图像传感器芯片 以下视频来自本工作的第一作者、天🐞津大学的陈全民。点击即可观看。TOF技术能够获取精确的深度信息,是3D成像领域的核心技术之一。论文介绍了一款1920 × 1080分辨率的2D/3D图像传感器芯片,像素尺寸为6 μm × 6 μm。针对传统器件2D、3D成像原。

[中报]路维光电(688401):路维光电2025年半年度报告

由不透明的遮光薄膜在透 明基板上形成掩膜图形结构,再通过曝光过程将图形信息转移到产 品基片上 TFT 指 TFT(Thin Film Transistor)是薄膜晶体管的缩写,是一种特殊 的场效应管,主要由半导体主动层、介电质层、金属电极层等构成。根据半导体主动层材质的不同,可分为a-Si技术、LTPS技术和IGZO 技术等 平板显示、FPD 指 平板显示(Flat panel display,缩写为FPD)是指显示屏对角线 长度与整机厚度比大于 4:1 🍎的显示器件,包括液晶。

约61亿元!维信诺拟收购合肥维信诺40.91%股权

国内市场占有率全球市场占有率股权控制关系主要产品流程图AMOLED显示器件的生产分为TFT制程、OLED制程、屏体制程、模组工程四个主要环节,TFT 制程、OLED 制程、屏体制程前三个环节在标的公司生产,模组工程通过委托模组工厂加工进行。TFT 制程即阵列工程,通过在玻璃基板上进行成膜、曝光、刻蚀等工艺,反复叠加不同图形不同材质的膜层以形成LTPS(低温多晶硅)半导体薄膜晶体管驱动电路,为发光器件提供点亮信号以及稳定的电源输入,形成阵列基板。OLED 制程包括 OLED 蒸。

AI芯片“最强辅助”HBM,发展到哪一步?| 研报推荐

由于 TSV 允许凸块垂直连接,因此可以实现多芯片堆叠。目前HBM的堆叠技术包括MR-MUF以及TC-NCF等: 其中,MR-MUF(向上堆叠方式,Mass Reflow – Molded Underfill),是指将半导体芯片堆叠后,为了保护芯片和芯片之间的电🌍路,在其空间中注入液体形态的保护材料,并固化的封装工艺技术。与每堆叠一个芯片铺上薄膜型材料的方式对比,工艺效率高,散热方面也更有效; 具体步骤: 1、连接芯片的微凸块采用金属塑封材料; 2、一次性融化所有的微凸块,连接。

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